磁控濺射鍍膜技術的（缺點）不足之處

文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間：2022-12-16

磁控濺射(Magnetron Sputtering,MS)是薄膜沉積技術使用較早的技術之一，也是目前研究應用最多和最成熟的產業(yè)化薄膜沉積技術。磁控濺射法的基本原理是在靶材處施加電壓，使其產生電磁場，并在設備中充入氬氣，通過電離使氬氣原子電離成氬離子和電子。受到電場和磁場的約束，電子飛向陽極基底的同時氬離子高速轟擊靶材表面產生鍍層粒子。濺射出鍍層粒子在電場和磁場的相互作用下沉積基底表面形成薄膜。

磁控濺射鍍膜技術有許多的優(yōu)點，但是磁控濺射法也存在一定不足，比如濺射過程中溫度的升高會對基底產生一定損傷，真空鍍膜的速率低，所需氣壓高，另外濺射設備系統(tǒng)復雜、價格昂貴等。以下是磁控濺射鍍膜技術的的不足之處：

1）平面靶材濺射刻蝕不均勻，靶材利用率低，成本高；而且當靶材出現(xiàn)凹陷之后，靶面的磁場強度不均勻，與新靶時對比，靶面磁場發(fā)生了很大變化，工件上所鍍膜層的厚度不均勻，膜層質量的重復性也不好。

2）雖然磁控濺射所鍍膜層的結合力優(yōu)于蒸發(fā)鍍，但與陰極電弧離子鍍相比，膜-基結合力還是很低。因此，在鍍高檔裝飾產品時，先用小弧源清洗工件，然后用磁控濺射技術鍍TiN等精飾膜層。

3）磁控濺射鍍膜在輝光放電中進行，金屬理化率低，用直流磁控濺射反應沉積氮化鈦等化合物膜層的工藝難度很大，反應氣的配氣量很難控制。

磁控濺射鍍膜過程中，通入的氬氣是濺射靶材獲得膜層離子的氣體，首先應設定氬氣的真空度和靶電壓，穩(wěn)定用氬離子濺射出來的膜層鈦原子的量。通入的氮氣是反應氣體，在放電空間和金屬膜層原子在一起被電離獲得鈦離子、氮離子、高能的鈦原子、高能的氮原子及氮的活性集團，在工件的表面化合反應沉積獲得氮化鈦薄膜，由于磁控濺射的金屬離化率只有10%-15%，金屬的活性比較低，化合反應生成硬度高、顏色金黃絢麗的氮化鈦膜層的配氣難度大，必須嚴格控制通入的反應氣體的流量。

4）磁控濺射沉積絕緣膜時，容易產生靶中毒，出現(xiàn)打弧現(xiàn)象和陽極消失現(xiàn)象，使磁控濺射過程中不能正常進行。

5）磁控濺射因為要有磁場，為了避免損害機器，所以對于帶有鐵磁性的材料不能應用此方法進行成膜，這也是該方法的一大劣勢所在。

6）鐵定薄膜和靶材以及濺射率的選取相關，不同的濺射速率以及不同的靶材所沉積的薄膜均勻性、致密性等有很大的差異。

以上這些不足，影響了磁控濺射鍍膜技術優(yōu)勢的發(fā)揮。